Samsung a élargi son catalogue de mémoire DDR5 DRAM, avec le premier module DDR5 de 512 Go du marché basé sur la technologie de fabrication High-K Metal Gate (HKMG).
DDR5 HKMG, quelle performance ?
Elle offre plus du double des performances par rapport a de la RAM DDR4. C’est-a-dire jusqu’à 7 200 Mbps (mégabits par seconde). Cette nouvelle RAM DDR5 sera capable d’orchestrer les charges de travail les plus extrêmes, gourmandes en calcul et à forte bande passante. Comme par exemple pour l’intelligence artificielle (IA) et apprentissage automatique (ML), ainsi que des applications d’analyse de données.
» Samsung est la seule société de semi-conducteurs avec des capacités d’ingénierie et l’expertise nécessaire pour intégrer la technologie logique de pointe HKMG dans le développement de produits de mémoire »
» En apportant ce type d’innovation de procédé à la fabrication de mémoire DRAM, nous sommes en mesure d’offrir à nos clients des solutions de mémoire performantes, mais économes en énergie, pour alimenter les ordinateurs nécessaires à la recherche médicale, aux marchés financiers, à la conduite autonome, aux villes intelligentes et au-delà. «
Young-soo Sohn, vice-président du groupe de la planification/habilitation de la mémoire DRAM chez Samsung Electronics.
» À mesure que la quantité de données à déplacer, stockées et traitées augmente de façon exponentielle, la transition vers DDR5 arrive à un point d’inflexion critique pour les centres de données cloud, les réseaux et les déploiements de périphérie «
» Les équipes d’ingénierie d’Intel s’associent étroitement à des leaders de la mémoire comme Samsung pour fournir une mémoire DDR5 rapide et économe en énergie, optimisée pour les performances et compatible avec nos processeurs évolutifs Intel Xeon à venir, nommés Sapphire Rapids. «
Carolyn Duran, vice-présidente et directrice générale de la mémoire et de la technologie IO chez Intel.
Pourquoi utiliser la technologie HKMG ?
La mémoire Samsung DDR5 utilisera la technologie HKMG très avancée qui a été traditionnellement utilisé dans les semi-conducteurs logiques. Avec la réduction continue de la taille des structures DRAM, la couche isolante s’est amincie progressivement. Ce problème conduit à un courant de fuite de plus en plus élevé. C’est la ou le matériau isolant HKMG, bien meilleur, rentre en jeu pour la DDR5. Samsung sera donc en mesure de réduire les fuites et d’atteindre de nouveaux sommets de performance. Cette nouvelle mémoire utilisera également environ 13% d’énergie en moins. Cela la rend particulièrement adaptée aux centres de données où l’efficacité énergétique devient de plus en plus critique.
Le processus HKMG a été adopté dans la mémoire GDDR6 de Samsung en 2018 pour la première fois dans l’industrie. En élargissant son utilisation dans la RAM DDR5, Samsung à encore solidifier son leadership dans la prochaine génération de technologie DRAM.
Grâce a la technologie TSV (through-silicon via), la DDR5 de Samsung empile huit couches de puces DRAM de 16 Go. Cela permet par conséquent d’atteindre une plus grande capacité, de 512 Go. TSV a été utilisé pour la première fois dans une DRAM en 2014. Samsung les a introduit dans des modules mémoire serveur avec des capacités jusqu’à 256 Go.
Samsung échantillonne actuellement, différentes variantes de sa famille de produits de mémoire DDR5 en partenariat avec des clients. Ceci à des fins de vérification et finalement, de certification de leurs produits, pour accélérer l’IA/ML, l’informatique exascale (supercalculateurs exaflopiques, c’est-à-dire de 10 puissance 18 flops), l’analyse de données, la mise en réseau et d’autres charges de travail très gourmandes en données.
Source : guru3d.com.
Credit image : Carlos Jones/ORNL, Samsung.
